|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4990 van 6539 gevonden artikelen
| Titel: |
Simulation of IPV effect in In-doped c-Si with optimized indium concentration and layer thickness |
| Auteur: |
Sahoo, Hari Sankar Yadav, Abhimanyu Kumar Ray, Abhijit |
| Verschenen in: |
Physica. B, Condensed matter |
| Paginering: | Jaargang 406 (2011) nr. 22 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2011 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4990 van 6539 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |